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              位置51电子网 » 企业新闻

              YLP-06V(NN)

              发布时间:2019/3/9 11:23:00 访问?#38382;?172 发布企业:深圳市骏创达科技有限公司

              新到YLP-06V(NN)授权分销全新原装现货

              深圳市骏创达科技有限公司

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              地址深圳市福田区华强北赛格广场29楼2905B室


              对于汽车DC-DC转换器这类应用来说GaN器件的可靠性关系到整个转换器设备最终的转换效率稳定性安全性功耗和散热等一系列?#38382;?#20307;现在GaN HEMT器件的结?#36141;?#26550;构上要求也会十分严苛需要从结?#36141;?#26550;构层去进一步挖掘器件的可靠性设计潜力和价值目前比?#29616;?#27969;的还是在结构方面提升2DEG的面密度架构上进行常开向常闭设计的转换

              业内某资深IC设计工程师表示从GaN HEMT的结构上来看其主要包括衬底缓冲层沟道层隔离层以及施主层几部分其中器件核心部分为沟道隔离和施主三层由它们最?#25307;?#25104;AIGaN/GaN异质结构决定器件电荷流动和开关速度等各类?#38382;?#24403;器件通电时电子从n型AIGaN层扩散到非掺杂的GaN层形成2DEG(即二维电子气)GaN HEMT就是通过栅极下的肖特基势垒来控制AIGaN/GaN异质结构中的电子气浓度从而实现对电流的控制的

              通过改变GaN HEMT的栅极电压可以相应的改变在AIGaN/GaN异质结构界面处所形成的三角?#38382;?#38449;的深度和宽度进而达到改变2DEG的浓度控制HEMT电流的目的该资深IC设计工程师强调HEMT的工作区为非掺杂的GaN层在低温下由于晶格的振动会相应的减弱n型AIGaN层中的电离杂质中心对紧邻的2DEG散射显得很重要所以?#35805;?#19994;内为了完全将杂质中心与2DEG隔离开来往往会在n型AIGaN层和GaN层中间加一层非掺杂的AIGaN隔离层通过该隔离层的作用来提高2DEG的迁移率尤其是低温迁移率而目前高2DEG的面密度设计仍然是业内GaN HEMT结构可靠性设计方面的关键挑战因为如果隔离层设计的厚度过大就会?#27807;?DEG的面密度直线下降导致源极和漏极的串联电阻增加从而直接影响GaN HEMT的可靠性在这方面业内比较多的是通过改变AIGaN/GaN异质结处的?#21363;?#24046;以及提升器件的自发极化和压电极化效应的影响等多重手段来提升AIGaN/GaN界面的2DEG密度从根本结构上来充分挖掘和提升GaN器件的可靠性但具体能够改变多少还决定于各厂商采用的自主方?#31119;?#35265;仁见智

              除结构设计以外由于传?#36710;?#32791;尽型GaN芯片在操作中?#35805;即?#20110;常开的状态因此必须先施加负偏压计否则系统将很容易发生短路这就迫使常开型的GaN设计难以适应各不同场景的应用要求尤其是对可靠性要求极高的汽车领域因此如今供应商也都从耗尽型器件转移到增强型器件因为这些器件通常是关断状态直到电压施加到栅极后才会打开这对于OEM们来说也会更为理想

              对此邓巍博士表示GaN作为一个常开型器件很难被客户所应用和接受因为大家无论是在硅还是其他器件上已经熟悉了常关型的理念所以英飞凌非常了解这个状况并在技术细节和工艺上做了一些改动?#28909;?#25105;们在栅极加了P-做出了一个市场比较容易理解的常关型器件

              本公司长期供应以下型号大量现货欢迎广大客户来电咨询


              YLP-06V(NN) YLP-06V-4WGA1 YLP-06V-B(NN) YLP-08V(MT) YLP-08V(NN) YLP-08V-E(NN) YLP-08V-R(NN) YLP-09V(NN) YLP-12V(NN) YLP-12VA(NN) YLP-15V(NN) YLP-16V(NN) YLP-21V(NN) YLR-01VF YLR-01VF-2-M YLR-01VF-E YLR-01VF-K YLR-01VF-R YLR-01VF-WGT4 YLR-02V

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