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              位置:51電子網 » 企業新聞

              MOS管NTR4171PT1G30VSOT-23-3高端芯片熱賣產品

              發布時間:2019/3/9 11:44:00 訪問次數:181 發布企業:鑫銳電子(香港)有限公司

              P溝道MOS管 NTR4171PT1G 30V SOT-23-3 (TO-236) 百分百進口原裝現貨特價供應

              NTR4171PT1G產品詳細規格

              標準包裝 3,000
              FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
              FET特點 Logic Level Gate
              漏極至源極電壓(VDSS) 30V
              電流-連續漏極(編號)@ 25°C 2.2A
              Rds(最大)@ ID,VGS 75 mOhm @ 2.2A, 10V
              VGS(TH)(最大)@ Id 1.4V @ 250μA
              柵極電荷(Qg)@ VGS 15.6nC @ 10V
              輸入電容(Ciss)@ Vds的 720pF @ 15V
              功率 - 最大 480mW
              安裝類型 Surface Mount
              包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
              供應商器件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
              包裝材料 Tape & Reel (TR)
              包裝 3SOT-23
              渠道類型 P
              通道模式 Enhancement
              最大漏源電壓 30 V
              最大連續漏極電流 3.5 A
              RDS -于 [email protected] mOhm
              最大門源電壓 ±12 V
              典型導通延遲時間 9 ns
              典型上升時間 16 ns
              典型關閉延遲時間 25 ns
              典型下降時間 22 ns
              工作溫度 -55 to 150 °C
              安裝 Surface Mount
              標準包裝 Tape & Reel
              最大門源電壓 ±12
              歐盟RoHS指令 Compliant
              最高工作溫度 150
              標準包裝名稱 SOT-23
              最低工作溫度 -55
              封裝 Tape and Reel
              最大漏源電阻 [email protected]
              最大漏源電壓 30
              每個芯片的元件數 1
              供應商封裝形式 SOT-23
              最大功率耗散 1250
              最大連續漏極電流 3.5
              引腳數 3
              鉛形狀 Gull-wing
              FET特點 Logic Level Gate
              安裝類型 Surface Mount
              電流 - 連續漏極(Id ) @ 25 °C 2.2A (Ta)
              的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.4V @ 250μA
              供應商設備封裝 SOT-23-3 (TO-236)
              開態Rds(最大)@ Id ,V GS 75 mOhm @ 2.2A, 10V
              FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
              功率 - 最大 480mW
              漏極至源極電壓(Vdss) 30V
              輸入電容(Ciss ) @ VDS 720pF @ 15V
              閘電荷(Qg ) @ VGS 15.6nC @ 10V
              封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
              RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
              其他名稱 NTR4171PT1GOSCT
              類別 Power MOSFET
              配置 Single
              外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
              身高 1.01mm
              長度 3.04mm
              最大漏源電阻 150 mΩ
              最高工作溫度 +150 °C
              最大功率耗散 1.25 W
              最低工作溫度 -55 °C
              包裝類型 SOT-23
              典型柵極電荷@ VGS 15.6 nC @ -10 V
              典型輸入電容@ VDS 720 pF @ -15
              寬度 1.4mm
              工廠包裝數量 3000
              產品種類 MOSFET
              晶體管極性 P-Channel
              源極擊穿電壓 +/- 12 V
              連續漏極電流 - 3.5 A
              正向跨導 - 閔 7 S
              安裝風格 SMD/SMT
              RDS(ON) 90 mOhms
              功率耗散 1.25 W
              封裝/外殼 TO-236
              上升時間 16 ns
              漏源擊穿電壓 - 30 V
              RoHS RoHS Compliant
              下降時間 22 ns
              漏極電流(最大值) 3.5 A
              頻率(最大) Not Required MHz
              柵源電壓(最大值) ?12 V
              輸出功率(最大) Not Required W
              噪聲系數 Not Required dB
              漏源導通電阻 0.075 ohm
              工作溫度范圍 -55C to 150C
              極性 P
              類型 Power MOSFET
              元件數 1
              工作溫度分類 Military
              漏極效率 Not Required %
              漏源導通電壓 30 V
              功率增益 Not Required dB
              弧度硬化 No
              Continuous Drain Current Id :-3.5A
              Drain Source Voltage Vds :-30V
              On Resistance Rds(on) :0.05ohm
              Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
              Threshold Voltage Vgs :-1.15V
              功耗 :1.25W
              Operating Temperature Min :-55°C
              Operating Temperature Max :150°C
              Transistor Case Style :SOT-23
              No. of Pins :3
              MSL :MSL 1 - Unlimited
              SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
              Weight (kg) 0.000033
              Tariff No. 85412900
              associated RE906
              80-4-5




              香港鑫銳保證原裝進口現貨
              鑫銳電子(香港)有限公司,18年元器件專業分銷商(授權與非授權品牌),一站式終端廠家配套:(質量保證誠信經營)是公司的承諾,為客戶提供品牌原裝半導體,電子元器件終端配套市場,專注ESD/TVS靜電保護二極管、LDO低功耗穩壓管、MOS管、電池充電和管理電源、LED、光電耦合器、電阻電容、PCB解決方案領域(無線藍牙解決方案、藍牙運動版解決方案一站式、音箱、無線移動電源)。
              主營產品:ESD靜電二極管、TVS二極管、電池充電和管理電源、MOS管、LDO低功耗穩壓管。


              公司:鑫銳電子(香港)有限公司
              聯系人:姚小姐
              手機:13725590222
              電話:0755-83780666/83265111
              傳真:0755-82800889
              QQ:3373563833
              地址:深圳福田區福田北路華強廣場B座26B
              公司網址:www.xrdz-hk.com




              公司部分現貨:
              TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208等等


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              NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G NTR4171PT1G


              英國電信運營商們表示,如果撕毀與華為的協議將導致5G網絡推遲9-12個月推出,所以盡管面臨壓力他們還是會繼續與華為合作。


              O2向《金融時報》證實,它將繼續在英國倫敦的200個站點部署華為5G設備。


              盡管所有英國電信公司都致力于采取多供應商的策略,但華為的設備被所有主流運營商用于他們的無線接入網中。


              此前英國電信雖表示不會在核心網中使用華為套件,但仍在其5G接入網中使用華為設備,而3家對手公司更是選擇華為為其5G戰略供應商。在測試過程中,告訴英國當地媒體華為擁有最令人印象深刻的技術,并寄希望于Massive MIMO和64T64R所帶來的3-5倍網絡容量提升,在這兩項技術中華為均創下了一些第一。


              周二,華為輪值董事長胡厚崑在東莞的園區接受外國媒體采訪時表示,華為已經發貨了1萬多個5G基站。在考慮升級之前,移動運營商希望在12-18個月內測試這些設備。他補充說,華為已經獲得了25份5G商業合同。


              “對于5G技術的一些安全關注非常合理,但能夠通過與運營商和政府的合作來澄清或減輕。”他表示,華為一直保持著良好的網絡安全記錄,30年來沒有發生過沒有發生過嚴重的網絡事故、沒有網絡安全隱患、沒有任何證據證明華為在做有損于任何國家安全的事情。


              英國政府目前正在對整個行業進行審查,作為其《未來電信基礎設施評估(FTIR)》的一部分,或將影響供應鏈。

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