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              位置51电子网 » 技术资料 » 控制技术
              动态神经控制系统设计技术要点 2019/5/1 15:41:52
              动态神经控制系统设计技术要点实际11,图81和图8.2中反馈范例的概念模块必须在完整的系统中综合考虑,这种系统常常是采用电池供电形式的长期植入式装置N80C196KB16通过这...[全文]
              对匹配链所处位置和另外失配随机序列位置2019/4/29 21:15:54
              图6.14给出了一个阵列中的两个位置点的测试结果,其中一个为匹配的DNA链,另一个为失配的随机序列当基底材料注人到芯片后(图6.14中的阴影区域),传感器电极上所探测到的电流与酶标记的初始产生...[全文]
              前端和三位数-模转换器2019/4/28 21:12:11
              前端和三位数-模转换器图5.36显示了一个带时序图的前端原理图感应电极在反馈阶段通过反馈开关(忽略)连接到反馈电压,在感应阶段通过感应开关连接到前端放大器放大器的输出在两个集成...[全文]
              输入和反馈变换器要尽可能简单2019/4/25 21:31:04
              输入和反馈变换器要尽可能简单如果需要的话,可以通过减弱输入和反馈变换器来增加差分输人电压的范围并且,上述两种变换器的固有线性度很差,跨导特性也不够好然而,由于仅有I变换器之间的传输函...[全文]
              电流反馈仪表放大器 2019/4/25 21:24:09
              电流反馈仪表放大器获?#37238;?#20849;模抑制比的最佳途径是将差分输入信号d转换为一种不受共模电压cM影响的信号类型这种信号可以是变压器中的电磁信号或者是发光二极管与光敏二极...[全文]
              基于霍尔效应的磁场传感器也受到温度交叉灵敏度的影响2019/4/24 21:17:42
              基于霍尔效应的磁场传感器也受到温度交叉灵敏度的影响然而,它们也对传感器芯片外露的塑料封装所产生的机械应力敏感虽然由这样的应力引起的误差能够被生产校准补偿,然而应力漂移引起的误差则不能补偿例...[全文]
              Si02层怍为一种介质膜是使用得很广泛的2019/4/20 19:36:37
              AA2214QWS/D-AMT以硅基为材?#31995;?#24494;电子器件中Si02层怍为一种介质膜是使用得很广泛?#27169;?#32780;铝经常用作互连线的材料Si02与铝在高温时将发生化学反应这使...[全文]
              电迁?#38138;?#35770;中多针对电流是稳定直流的情况2019/4/20 19:29:27
              AA2214QBS/D-AMT实际的铝布线为一多晶结构铝离子可通过晶间晶界及表面三种方式扩散在多晶膜中晶界多晶界的缺陷也多激活能小所以主要通过晶界扩散而发...[全文]
              栅氧的漏电与栅氧质量关系极大2019/4/20 11:37:05
              LAN8710A在MOS器件及IC中栅极下面存在一薄层Si0即通称的栅氧化层栅氧的漏电与栅氧质量关系极大漏电增加到一定程度即可构成击穿导致器件失效当...[全文]
              失效物理可?#22253;?#21161;检验和?#33539;?#26045;加应力时有无瞬时效应2019/4/20 11:23:15
              LAN8187-JT失效物理可?#22253;?#21161;检验和?#33539;?#26045;加应力时有无瞬时效应例如如果电阻器的阻值变化遵从管的形式则已考虑了开关循环应力的瞬时效应的影响因为按照线性退化...[全文]
              白光器件结构2019/4/17 20:26:42
              KA-2214MGS白光器件结构白光OLED(WOLE的器件结构最为复杂,因为通常需要不同光色进行混合,才可以产生白光效果白光的获得策略通常有三种,...[全文]
              载流子输运及器件电流2019/4/16 22:09:05
              HCF4538M013TR载流子输运及器件电流当正负载流子分别由阳极和阴极注人后,在电场的作用下,空穴和电子在有机薄膜中,主要以跃进模式相向移动,形成o...[全文]
              提高主体材料HOMo与掺杂客体材料LUMO的能级匹配2019/4/16 21:38:22
              HAT1025R-EL提高主体材料HOMo与掺杂客体材料LUMO的能级匹配由于产生p型化学掺杂作用的途径是,主体HOMO能级?#31995;?#30005;子转移到客体LUMo能级上,因此要求...[全文]
              在OLED器件中,通常认为电极与活性材料之间为欧姆接触2019/4/15 21:40:20
              HD74LS03P注入势垒及界面?#25216;?#23618;在OLED器件中,通常认为电极与活性材料之间为欧姆接触如第二章所讲,欧姆接触意味着界面处的电荷浓度?#23545;?#22823;于材料内...[全文]
              芳香胺类材料2019/4/15 20:54:42
              HCF4051BE芳香胺类材料芳香胺类化合物是典型的空穴传输材料,在有机太阳能电池结构中通常作为给体[110,1冽M.Matsumura?#32570;?#36947;的非晶态...[全文]
              为评价分析电子元器件的可靠性2019/4/13 20:26:09
              P87LPC915FDH为评价分析电子元器件的可靠性在使用现场进行的可靠性试验称为现场使用试验现场可靠性试验可以真实地反映出产品在实际使用条件下的可靠性水平因...[全文]
              在技术上主要在大规模集成电路光电器件和软件可靠性等方面有2019/4/13 19:25:01
              M12L64164A-7T20世纪80年代以来可靠?#22253;统?#20026;产品设备综合指标的一个重要组成部分与性能费用和进度处于同等重要的地位?#36127;?#25152;有编入美军用标准的可靠性设...[全文]
              太阳能电池是根据材?#31995;?#20809;伏效应产生电能的器件2019/4/12 22:11:55
              G1601AQ61U太阳能电池是根据材?#31995;?#20809;伏效应产生电能的器件根据光伏活性材料及器件结构的不同,太阳能电池可分为无机太阳能电池染料敏化太阳能电池及有机薄膜太阳能...[全文]
              n型有机场效应晶体管的工作机制2019/4/12 20:44:05
              FA7631Nn型有机半导体材料>HOMO和LUMO能级向下弯曲及移动,从而降低电子注人势垒,在半导体内产生诱导电子漏电压的加载可以使诱导电子产生移动...[全文]
              场效应晶体管的静态特性主要2019/4/11 20:23:25
              H5PS5162GFR-Y5J转?#38138;?#24615;曲线和输出特性曲线场效应晶体管的静态特性主要,是指表现漏极电流随源漏电压变化的输出特性和表现漏极电流随栅压变化的转...[全文]
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